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DFN1610封裝系列ESD保護(hù)器

DFN1610封裝系列ESD保護(hù)器具有反應(yīng)速度快，導(dǎo)通電壓低、體積小、集成度高、同時(shí)實(shí)現(xiàn)多條數(shù)據(jù)線保護(hù)，電容值較低，是理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)器件，多樣化封裝,完全可實(shí)現(xiàn)在不同位置、空間上靈活的集成化ESD保護(hù)。封裝：DFN-1006

  • 品牌： 集電通/JTDFUSE
  • 分類： ESD保護(hù)器
  • 最大電壓： --
  • 額定電流： --

JDTFUSE

Part No.VRWM
.max
(V)		VBR
.min
(V)		CJ
.typ
(pF)		Ppp
@8/20μs
(W)		Ipp
@8/20μs
(A)		IR
.max
(μA)		Contact
(kV)		ChannelInner
Diagram		PackagePDF
JEN1610-3.3V3.33.575018751501.0±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-5V56.055018751251.0±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-7V77.555018751251.0±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-9V9105251875900.5±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-12V1212.65001875750.1±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-15V1516.54501875600.1±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-18V1819.63501875500.1±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-24V2426.72001875350.1±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-36V36371501875250.1±301JDTFUSEDFN1610JDTFUSE
JEN1610-5V-ULC56.50.310040.2±221JDTFUSEDFN1610JDTFUSE


VRWM：Reverse Working Voltage

VBR：Snap-Back Voltage

CJ：Junction Capacitance

Ppp：Peak Pulse Power

Ipp：Peak Pulse Current

IR：Reverse Leakage Current

Contact：IEC 61000-4-2;Contact Discharge


JDTFUSE


JDTFUSERoHS報(bào)告



標(biāo)簽: ESD保護(hù)器 DFN1610